多项选择题

CZ法产生位错的环节和方式有（）。

A.籽晶中的位错延伸、增殖
B.晶体表面存在温度梯度，产生很强的热应力
C.籽晶表面损伤、机械磨损裂痕
D.单晶冷却时，晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力

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多项选择题

A.热绝缘筒和地盘
B.石墨加热器
C.石墨坩埚
D.石英坩埚

多项选择题

A.通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度
B.熔体稳定
C.晶体直径大
D.对多晶形状要求低

多项选择题

A.升温对于物理吸附影响很小化学吸附是可逆的
B.化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发
C.物理吸附的进行吸附是可逆的
D.脱咐的进行物理吸附是不可逆的