单项选择题

关于MOSFET模型论述错误的是（）。

A.与体电荷模型相比，平方律简单模型高估了V_DSat
B.体电荷模型中，衬底掺杂浓度越高，其预测的I_DS与平方律简单模型相比误差越低
C.体电荷模型中，无统一的V_T
D.与体电荷模型相比，平方律简单模型高估了漏源电流I_DS

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单项选择题

A.漏结雪崩击穿
B.漏源穿通
C.GIDL
D.沟道雪崩击穿

单项选择题

A.反型空穴的浓度低于Nd
B.反型空穴与电子正好是电中性的
C.反型空穴总数太少

单项选择题

A.开启延迟时间
B.下降时间
C.储存时间
D.上升时间