单项选择题

‏理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是（）

A.V_S≥2V_B
B.V_S＞V_B
C.V_S≤2V_B
D.V_S＜V_B

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单项选择题

A.制作晶体管
B.制作肖特基势垒二极管
C.给半导体器件接出金属引线
D.制作PN结二极管

单项选择题

A.具有单向导电特性
B.其正反偏置的电流输运特征没有差别
C.具有双向导电特性
D.接触引入的电阻很小

单项选择题

A.金属和n型半导体接触，W_m< W_s
B.金属和p型半导体接触，W_m>W_s
C.金属和n型半导体接触，W_m>W_s
D.金属和p型半导体接触，W_m< W_s