单项选择题
对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态？（）
A.AB.BC.CD.D
A.VS≥2VBB.VS＞VBC.VS≤2VBD.VS＜VB
A.制作晶体管B.制作肖特基势垒二极管C.给半导体器件接出金属引线D.制作PN结二极管
A.具有单向导电特性B.其正反偏置的电流输运特征没有差别C.具有双向导电特性D.接触引入的电阻很小
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