多项选择题

增大直流偏置电流I_E对发射结势垒电容充放电时常数τ_e和基区渡越时间τ_b的影响进而对特征频率f_T的影响是（）

A.使得τ_e增大而使得f_T下降
B.使得τ_b增大而使得f_T下降
C.使得τ_e减小而使得f_T增加
D.使得τ_b减小而使得f_T增加

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多项选择题

A.减小发射结面积
B.减小集电结面积
C.减小基区宽度
D.减小集电区掺杂浓度

单项选择题

A.输出端C-E之间既不能加负载电阻R_L也不能加直流偏置电压V_CE
B.输出端C-E之间既可以加R_L也可以加V_CE
C.输出端C-E之间不能加R_L但是能加V_CE
D.输出端C-E之间能加R_L但是不能加V_CE

单项选择题

A.α₀↑、β₀↑、I_KF↑、V_A↑
B.α₀↓、β₀↓、I_KF↑、V_A↑
C.α₀↑、β₀↑、I_KF↓、V_A↓
D.α₀↓、β₀↓、I_KF↓、V_A↓

增大直流偏置电流IE对发射结势垒电容充放电时常数τe和基区渡越时间τb的影响进而对特征频率fT的影响是（）