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问答题
计算题
在一N-Ge样品中，过剩载流子浓度为10
14
cm
-3
，空穴寿命100μs，计算该样品中空穴的复合率。
【参考答案】
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相关考题
问答题
473K时硅的
求本征硅的电阻率ρ
i
。
问答题
掺硼1.1×10
16
cm
-3
和磷9×10
15
cm
-3
的硅样品，计算室温下多子浓度和少子浓度。如果电子迁移率μ
n
=1000cm
2
/v·s，空穴迁移率μ
p
=360cm
2
/v·s，求电阻率。
问答题
设电子和空穴的迁移率分别为1350cm
2
/V·S和500cm
2
/V·S，试计算本征硅在300K下的电导率。当掺入百万分之一的砷后，设杂质全部电离，计算其电导率，并将其与本征硅的电导率进行比较。
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求本征硅的电阻率ρi。
