欢迎来到牛牛题库网
牛牛题库官网
登录
注册
首页
经济师考试
会计职称考试
统计师考试
审计师考试
保险考试
全部科目
>
大学试题
>
工学
>
电子与通信技术
>
微电子学
搜题找答案
问答题
计算题
某半导体材料的少子寿命τ=20μs，光照产生了非平衡载流子，试求光照突然停止10μs后，非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？
【参考答案】
点击查看答案
上一题
目录
下一题
相关考题
问答题
在一N-Ge样品中，过剩载流子浓度为10
14
cm
-3
，空穴寿命100μs，计算该样品中空穴的复合率。
问答题
473K时硅的
求本征硅的电阻率ρ
i
。
问答题
掺硼1.1×10
16
cm
-3
和磷9×10
15
cm
-3
的硅样品，计算室温下多子浓度和少子浓度。如果电子迁移率μ
n
=1000cm
2
/v·s，空穴迁移率μ
p
=360cm
2
/v·s，求电阻率。
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题
求本征硅的电阻率ρi。
