单项选择题

增加集电区掺杂浓度N_C对特征频率f_T和集电结击穿电压B_VCB的影响是（）

A.使得f_T增加、B_VCB增加
B.使得f_T增加、B_VCB减小
C.使得f_T减小、B_VCB减小
D.使得f_T减小、B_VCB增加

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单项选择题

A.防止重金属原子（如“金”）进入放大用晶体管和开关晶体管
B.向放大用晶体管和开关晶体管有控制地掺入一定的金原子
C.向放大用晶体管掺入金原子，防止金原子进入开关晶体管
D.防止金原子进入放大用晶体管，向开关晶体管掺入金原子

多项选择题

A.增加发射结的结面积
B.增加发射极总条长
C.采用多发射极条，使得单根发射极条长不要太长
D.减小基区串联电阻

多项选择题

A.采用双基极条
B.减少无源基区掺杂浓度
C.增加无源基区掺杂浓度
D.增加基极条和发射极条之间的距离

增加集电区掺杂浓度NC对特征频率fT和集电结击穿电压BVCB的影响是（）