多项选择题
A.两探针法 B.四探针法 C.范德堡法 D.扩展电阻法
A.电极电位 B.腐蚀液的成分 C.腐蚀处理的温度和搅拌的影响 D.缓冲剂的影响
A.使整个样品加底光照 B.将硅单晶加热到50～70℃ C.加底光照后用氙灯闪光进行照射 D.将硅单晶加热到60～80℃
A.是晶体中点缺陷的局部聚集B.漩涡条纹是不连续的C.由大量的浅蚀坑组成D.在晶体中实际上是呈螺旋阶梯分布的
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