欢迎来到牛牛题库网
牛牛题库官网
登录
注册
首页
经济师考试
会计职称考试
统计师考试
审计师考试
保险考试
全部科目
>
大学试题
>
工学
>
电子与通信技术
>
半导体物理
搜题找答案
问答题
案例分析题
如图所示,为P型半导体MIS结构形成的能带图。
判断其表面空间电荷层的状态(多子积累、少子耗尽、少子反型)
【参考答案】
少子反型
点击查看答案
上一题
目录
下一题
相关考题
问答题
画出对应的电荷分布图。
问答题
判断金属-半导体接触形成阻挡层还是反阻挡层。
问答题
试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图,并标明半导体表面势V
S
的数值。
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题