单项选择题

已知一半导体异质结为p-n-A-B，说明（）

A.A为p型宽禁带半导体，B为n型窄禁带半导体
B.A为p型窄禁带半导体，B为n型宽禁带半导体
C.A为n型宽禁带半导体，B为p型窄禁带半导体
D.A为n型窄禁带半导体，B为p型宽禁带半导体

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单项选择题

A.功函数为3.5eV的半导体
B.功函数为3eV的半导体
C.功函数为4eV的半导体
D.功函数为4.2eV的半导体

单项选择题

A.硼掺杂浓度为10¹⁵cm^-3
B.磷掺杂浓度为10¹⁶cm^-3
C.纯净硅
D.硼掺杂浓度为10¹⁵cm^-3，磷掺杂浓度为10¹⁶cm^-3

单项选择题

A.热击穿
B.隧道击穿
C.齐纳击穿
D.载流子的倍增效应