欢迎来到牛牛题库网 牛牛题库官网
logo
搜索
全部科目 > 大学试题 > 工学 > 电子与通信技术 > 半导体物理

单项选择题

室温下，下列哪个硅半导体的功函数最大（）

A.硼掺杂浓度为1015cm-3
B.磷掺杂浓度为1016cm-3
C.纯净硅
D.硼掺杂浓度为1015cm-3，磷掺杂浓度为1016cm-3

点击查看答案&解析
上一题 目录 下一题

相关考题

单项选择题
pn结雪崩击穿的的机理是（）

A.热击穿
B.隧道击穿
C.齐纳击穿
D.载流子的倍增效应
单项选择题
实际处于反偏状态下的pn结，其载流子的产生率与复合率之间的关系为（）

A.产生率等于复合率
B.产生率小于复合率
C.产生率大于复合率
D.存在净复合率
单项选择题
下列哪个条件不是理想pn结模型的假设条件（）

A.小注入条件
B.突变耗尽层条件
C.耗尽层有载流子的产生与复合
D.玻尔兹曼边界条件
微信小程序免费搜题

All Rights Reserved 版权所有©牛牛题库网(nntiku.com)

备案号：湘ICP备2022003000号-1

微信扫一扫,加关注免费搜题

微信扫一扫,加关注免费搜题