判断题
错误(↓↓↓ 点击‘点击查看答案’看答案解析 ↓↓↓)
A.实现N阱和P阱独立控制B.更平坦的表面C.做在阱区内的器件可以减少受到α粒子辐射的影响D.抑制闩锁效应
A.氮化硅B.二氧化硅C.多晶硅D.单晶硅
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