多项选择题
A.实现N阱和P阱独立控制B.更平坦的表面C.做在阱区内的器件可以减少受到α粒子辐射的影响D.抑制闩锁效应
A.氮化硅B.二氧化硅C.多晶硅D.单晶硅
A.外延隔离B.埋层隔离C.PN结隔离D.介质隔离
A.多晶硅B.金属铝C.金属铜D.铝硅铜合金
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