单项选择题

热氧化法生长100个单位厚度的二氧化硅会消耗（）个单位厚度的硅。

A.44
B.56
C.54
D.46

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单项选择题

A.杂质在二氧化硅中的扩散系数远小于其在硅中的扩散系数
B.杂质在二氧化硅中的扩散系数等于其在硅中的扩散系数
C.杂质硅中的扩散系数远小于其在二氧化硅中的扩散系数
D.杂质在二氧化硅中不扩散

单项选择题

A.化学汽相沉积
B.原子层沉积
C.热氧化
D.以上都是

单项选择题

A.四个氧和一个硅
B.两个氧和两个硅
C.四个硅和一个氧
D.三个氧和一个硅