欢迎来到牛牛题库网 牛牛题库官网
logo
搜索
全部科目 > 大学试题 > 工学 > 电子与通信技术 > 半导体物理

单项选择题

P-Sub的理想MOS结构在耗尽状态时，半导体表面空间电荷区的电荷主要是（），此时半导体表面（）导电。

A.电子，可以
B.空穴，可以
C.施主离子，不可以
D.受主离子，不可以

点击查看答案&解析
上一题 目录 下一题

相关考题

单项选择题
MOS晶体管的（）可以用来表征栅电压对其沟道电流的控制能力，其值越（），则表示这种控制能力也越强。

A.电流放大系数，大
B.电流放大系数，小
C.跨导，小
D.跨导，大
单项选择题
已知Si中掺有硼杂质，且掺杂浓度为1017/cm3，则这是（）型半导体，该半导体的费米能级在禁带中线的（）

A.N，上方
B.P，上方
C.P，下方
D.N ，下方
单项选择题
已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度（）空穴浓度。

A.大于
B.小于
C.等于
D.无法判断
微信小程序免费搜题

All Rights Reserved 版权所有©牛牛题库网(nntiku.com)

备案号：湘ICP备2022003000号-1

微信扫一扫,加关注免费搜题

微信扫一扫,加关注免费搜题