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单项选择题

MOS晶体管的（）可以用来表征栅电压对其沟道电流的控制能力，其值越（），则表示这种控制能力也越强。

A.电流放大系数，大
B.电流放大系数，小
C.跨导，小
D.跨导，大

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单项选择题
已知Si中掺有硼杂质，且掺杂浓度为1017/cm3，则这是（）型半导体，该半导体的费米能级在禁带中线的（）

A.N，上方
B.P，上方
C.P，下方
D.N ，下方
单项选择题
已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度（）空穴浓度。

A.大于
B.小于
C.等于
D.无法判断
单项选择题
N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加（）偏压时，半导体表面附近会形成一层（）层。

A.正，电子积累
B.负，电子积累
C.正，空穴反型层
D.正，电子反型层
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