掺杂浓度相同时，下列半导体器件极限工作温度大小关系正确的是（）

A.抛物线
B.双曲线
C.e指数
D.线性

A.施主杂质电离后，可以为半导体提供导电电子
B.施主杂质电离后，电离中心带正电
C.施主杂质是一种间隙式杂质
D.单一施主掺杂后的半导体为n型半导体

A.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体
B.室温下，锗的禁带宽度约为0.67eV，是直接带隙半导体
C.室温下，砷化镓的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体
D.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体