多项选择题
A.衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖B.用两步外延法C.低压外延法D.降低外延生长温度
A.铝尖楔现象B.结穿刺现象C.电迁移现象D.短路现象
A.良好的导电性B.与半导体有良好的接触性C.良好的稳定性D.良好的工艺兼容性
A.制备金属类薄膜B.制备金属电极C.制备金属附着层D.制备金属阻挡层
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