假设一反相器和两输入与非门中的器件PMOS与NMOS的尺寸比为2，最小尺寸的对称反相器的输入电容等于最小尺寸NMOS管栅电容的3倍。若该NAND门的等效电阻等于该反相器的电阻，那么它的逻辑努力（logical effort）为（）。

A.逐级加大晶体管尺寸
B.将关键路径上的晶体管调整至靠近门的输入端
C.变换逻辑来减少单个门的输入信号个数
D.调整晶体管尺寸

A.0.345R_NC_L
B.0.69R_NC_L
C.1.38R_NC_L
D.0.69R_PC_L

A.对于一个给定的反相器尺寸，当负载电容太小时，功耗主要来自短路电流
B.对于非常大的负载电容值，所有的功耗都用来充电和放电负载电容
C.使一个门的输入和输出上升时间相等可以得到最优的结果
D.短路电流功耗可以通过使输入和输出信号的上升/下降时间匹配来达到最小