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填空题
P沟道增强型MOS管的开启电压为（）值。N沟道增强型MOS管的开启电压为（）值。
【参考答案】
负；正
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填空题
对于增强型N型沟道MOS管，V
GS
只能为（），并且只能当V
GS
（）时，才能形有Id。
填空题
对于耗尽型MOS管，V
GS
可以为（）
填空题
场效应管漏极电流由（）载流子的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由载流子的漂移运动形成。JFET管中的漏极电流（）穿过PN结（能，不能）。
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