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填空题
对于增强型N型沟道MOS管，V
GS
只能为（），并且只能当V
GS
（）时，才能形有Id。
【参考答案】
正；＞V
TH
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填空题
对于耗尽型MOS管，V
GS
可以为（）
填空题
场效应管漏极电流由（）载流子的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由载流子的漂移运动形成。JFET管中的漏极电流（）穿过PN结（能，不能）。
填空题
为了使结型场效应管正常工作，栅源间两PN结必须加（）电压来改变导电沟道的宽度，它的输入电阻比MOS管的输入电阻（）。结型场效应管外加的栅-源电压应使栅源间的耗尽层承受（）向电压，才能保证其R
GS
大的特点。
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