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全部科目 > 通信电子计算机技能考试 > 集成电路制造工艺员 > 集成电路制造工艺员（三级）

单项选择题

（）就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面，使其中离子注入层在极短的时间内达到高温，消除损伤。

A.热退火
B.激光退火
C.连续激光退火
D.脉冲激光退火

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单项选择题
目前，最广泛使用的退火方式是（）。

A.热退火
B.激光退火
C.电子束退火
D.离子束退火
单项选择题
损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。

A.能量淀积
B.动量淀积
C.能量振荡
D.动量振荡
多项选择题
哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。

A.低温注入
B.常温注入
C.高温注入
D.分子注入
E.双注入
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