单项选择题
A.上升，下降B.上升，上升C.下降，上升D.下降，下降
A.指数B.平方C.线性
A.沟道长度L缩短B.晶体管的VDS增大C.源端电位升高（衬底接地）D.增加衬底掺杂浓度
根据下图所示的MOS管版图，可知下列几个寄生电容与沟道宽度W成正比的有（粉色为多晶硅层，绿色为有源区层，黑色为接触孔层，深绿色为金属层）（）。
A.栅与源漏区的耦合电容B.扩散区的底板电容C.栅-沟道电容D.扩散区的侧壁电容
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