单项选择题

若半导体中硼的浓度为3x10¹⁶cm^-3，磷的浓度为8x10¹⁵cm^-3，则（）

A.该半导体为N型半导体，多子是电子
B.该半导体为N型半导体，多子是空穴
C.该半导体为P型半导体，多子是电子
D.该半导体为P型半导体，多子是空穴

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单项选择题

A.硅是闪锌矿结构
B.单晶硅中原子排列整齐有序，所以单晶硅不同晶面的性质也是一样的
C.多晶硅长程无序，芯片制造中是不会使用多晶硅的
D.单晶硅中最常见的晶向是[100]，[110]，[111]

单项选择题

A.电子会顺着浓度差方向扩散
B.空穴会顺着浓度差方向扩散
C.电子会顺着电场方向漂移
D.空穴会顺着电场方向漂移

单项选择题

A.这是N-Si
B.电子浓度为10¹⁷cm^-3
C.该半导体中空穴为少数载流子
D.该半导体的费米能级在禁带中心下方

若半导体中硼的浓度为3x1016cm-3，磷的浓度为8x1015cm-3，则（）