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单项选择题

金属-绝缘层-p型半导体构成的理想MIS结构，当在半导体上施加一个相对于金属的负电压时，则表面势Vs为（）。

A.正
B.负
C.零
D.无法判断

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单项选择题
若不考虑镜像力和隧道效应，则金属半导体接触的势垒高度将（），反向电流将（）。

A.降低；降低
B.降低；升高
C.升高；降低
D.升高；升高
单项选择题
对于n型半导体构成的非理想MIS结构，在（）条件下半导体表面达到强反型。

A.高频
B.低频
C.VG=Vi+2Vs
D.VG=Vi+2Vs+VFB
单项选择题
‏金属-半导体（p型中等掺杂）接触在（）条件下形成阻挡层，其电学特性为（）。

A.Wm＞Ws；整流特性
B.Wm＞Ws；欧姆特性
C.Wm＜Ws；整流特性
D.Wm＜Ws；欧姆特性
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