对于n型半导体构成的非理想MIS结构，在（）条件下半导体表面达到强反型。

A.W_m＞W_s；整流特性
B.W_m＞W_s；欧姆特性
C.W_m＜W_s；整流特性
D.W_m＜W_s；欧姆特性

A.杂质浓度越高，该温度越低；禁带宽度越大，该温度越低
B.杂质浓度越高，该温度越低；禁带宽度越大，该温度越高
C.杂质浓度越高，该温度越高；禁带宽度越大，该温度越低
D.杂质浓度越高，该温度越高；禁带宽度越大，该温度越高

A.n0；Δp
B.n0；Δn
C.p0；Δp
D.p0；Δn