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单项选择题

‌对于硅锗半导体，若其体内某处的电场从1×105V/cm降低至1×103V/cm，则其电子迁移率将（）。

A.增大
B.不变
C.减小
D.无法判断

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单项选择题
‌空穴的扩散电流的方向，与（）相反。

A.空穴扩散的方向
B.空穴浓度梯度方向
C.空穴浓度逆梯度方向
D.电场方向
单项选择题
金属-绝缘层-p型半导体构成的理想MIS结构，当在半导体上施加一个相对于金属的负电压时，则表面势Vs为（）。

A.正
B.负
C.零
D.无法判断
单项选择题
若不考虑镜像力和隧道效应，则金属半导体接触的势垒高度将（），反向电流将（）。

A.降低；降低
B.降低；升高
C.升高；降低
D.升高；升高
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