单项选择题
A.SiF4 B.SiH4 C.CH4 D.SiC
A.丙酮 B.氢氧化钠溶液 C.丁酮 D.甲乙酮 E.热的氯化碳氢化合物
A.红外线辐射 B.X射线照射 C.加热 D.紫外光辐射 E.电子束扫描
A.除去光刻胶中剩余的溶剂 B.增强光刻胶对晶片表面的附着力 C.提高光刻胶的抗刻蚀能力 D.有利于以后的去胶工序 E.减少光刻胶的缺陷
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