以下对于晶体生长的方法描述错误的是‎（）

A.一般所有的杂质都可以充当形核的基底
B.降低湿润角，一般需要选择与晶核相同晶体结构，相近的点阵常数作为异质形核点
C.当同质外延或直接从单质熔液生长单晶时，润湿角为零
D.杂质表面的形状对于表面形核有影响，凹面促进形核

A.晶体的生长单元比例x=NA/N，如果x〉50%就是粗糙界面，x〈50%就是光滑界面
B.x=50%是粗糙界面，x=0%或者100%为光滑界面
C.界面的相对吉布斯自由能与x无关
D.对于粗糙面，晶体生长采取二维成核或者自然台阶层状生长

A.晶体生长是平衡过程。
B.晶面的法向生长速度越快，就越容易留下来；反之则容易消失。
C.晶体的原子最密排面表面能最低。
D.晶体的形态取决于各个晶面的法向生长速度。