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单项选择题

CMOS工艺中，将PMOS和NMOS的栅进行局部互连的材料是（）。

A.多晶硅
B.金属铝
C.金属铜
D.铝硅铜合金

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单项选择题
为了实现全局平坦化，在集成电路中，经常采用（）工艺。

A.反刻
B.CMP
C.SOG
D.高温回流
单项选择题
以下工艺中，方块电阻是一个重要的参数，一般用于衡量（）工艺中杂质情况。

A.氧化
B.扩散
C.光刻
D.刻蚀
单项选择题
在制作MOS管时，采用LOCOS工艺容易出现（）。

A.沟道效应
B.鸟嘴效应
C.寄生效用
D.闩锁效应
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