判断题
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CE定律发展面临的问题包括（）。A.工艺实现存在问题B.源漏耗尽区宽度不可能按比例缩小C.阈值电压不可能缩的太...
多项选择题CE定律发展面临的问题包括（）。
A.工艺实现存在问题B.源漏耗尽区宽度不可能按比例缩小C.阈值电压不可能缩的太小D.电源电压标准的改变会带来很大的不便
IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。A.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，集成度提高α倍B.特征线宽等有关...
多项选择题IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。
A.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，集成度提高α倍B.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，而单位芯片面积的功耗不变C.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，单元电路的功耗下降α2倍D.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，电路速度可增加α倍
三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。
判断题三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。
