多项选择题
A.浅槽隔离的CMP停止层B.最终钝化膜和机械保护膜C.MOSFETs中的侧墙D.选择性氧化的掩蔽膜
实现CVD工艺保形覆盖的关键因素有（）。A.表面迁移B.直接入射C.再发射D.到达角
多项选择题实现CVD工艺保形覆盖的关键因素有（）。
A.表面迁移B.直接入射C.再发射D.到达角
CVD制备SiO2的方法有（）。A.中温LPCVDB.低温APCVDC.低温PECVDD.低温LPCVD
多项选择题CVD制备SiO2的方法有（）。
A.中温LPCVDB.低温APCVDC.低温PECVDD.低温LPCVD
金属W（钨）的用途有（）。A.局部互连B.全局互连C.钨插塞D.栅极
多项选择题金属W（钨）的用途有（）。
A.局部互连B.全局互连C.钨插塞D.栅极
