实现CVD工艺保形覆盖的关键因素有（）。

CVD制备SiO2的方法有（）。A.中温LPCVDB.低温APCVDC.低温PECVDD.低温LPCVD

多项选择题CVD制备SiO₂的方法有（）。

金属W（钨）的用途有（）。A.局部互连B.全局互连C.钨插塞D.栅极

多项选择题金属W（钨）的用途有（）。

下列属于多晶硅薄膜的特性有（）。A.扩散系数明显高于单晶硅B.晶粒尺寸大的薄膜电阻率小C.晶向唯一D.电阻率远...

多项选择题下列属于多晶硅薄膜的特性有（）。