多项选择题
A.扩散系数明显高于单晶硅B.晶粒尺寸大的薄膜电阻率小C.晶向唯一D.电阻率远高于单晶硅
LPCVD系统与PECVD系统相比，它们的相同点有（）。A.产量低B.可淀积Si3N4等C.台阶覆盖好D.反...
多项选择题LPCVD系统与PECVD系统相比，它们的相同点有（）。
A.产量低B.可淀积Si3N4等C.台阶覆盖好D.反应控制
APCVD系统的缺点有（）。A.均匀性差B.易发生气相反应C.台阶覆盖D.高温工艺
多项选择题APCVD系统的缺点有（）。
A.均匀性差B.易发生气相反应C.台阶覆盖D.高温工艺
下列关于LPCVD的描述正确的有（）。A.扩散控制B.严格控制温度C.反应控制D.低温淀积工艺
多项选择题下列关于LPCVD的描述正确的有（）。
A.扩散控制B.严格控制温度C.反应控制D.低温淀积工艺
