单项选择题

对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是（）

A.平坦能带状态
B.深耗尽状态
C.少子反型状态
D.本征状态

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B.B
C.C
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半导体物理