判断题
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空位随温度升高而增加，在20℃和1020℃之间，由于热膨胀bcc铁的晶格常数增加0.51%，而密度减少2.0%...
单项选择题空位随温度升高而增加，在20℃和1020℃之间，由于热膨胀bcc铁的晶格常数增加0.51%，而密度减少2.0%，假设在时，此金属中每1000个单位晶胞中有1个空位，试估计在时每1000个单位晶胞中有多少个空位？（）（bcc铁单位晶胞中有2个原子，假设晶格不变）
A.71B.21C.11D.61
单晶硅半导体的禁带宽度为1.10eV，等效状态密度N=1.0×1019/cm3，求在273K时该半导体中的本征...
单项选择题单晶硅半导体的禁带宽度为1.10eV，等效状态密度N=1.0×1019/cm3，求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为（）。
A.1.34×109/cm3B.6.7×108/cm3C.2.2×109/cm3D.1.1×109/cm3
已知某离子晶体的晶格常数为5.0×10-8cm，固有振动频率为1012Hz，晶格势能垒为0.5eV，求300K...
单项选择题已知某离子晶体的晶格常数为5.0×10-8cm，固有振动频率为1012Hz，晶格势能垒为0.5eV，求300K时的离子迁移率为（）。
A.1.24×10-10cm2/s·VB.6.19×10-11cm2/s·VC.9.14×10-10cm2/s·VD.4.57×10-10cm2/s·V
