多项选择题
A.可以减小自掺杂反应B.对设备要求提高，必须防止泄漏C.工艺温度降低外延层晶格受影响D.缩小了过渡区可用于多层外延
以下结构属于异质结的有（）A.SOIB.SOSC.SEGD.MOCVD
多项选择题以下结构属于异质结的有（）
A.SOIB.SOSC.SEGD.MOCVD
外延掺杂的作用是（）A.控制导电性质B.弥补缺陷C.形成过渡区域D.控制外延层的电导率
多项选择题外延掺杂的作用是（）
A.控制导电性质B.弥补缺陷C.形成过渡区域D.控制外延层的电导率
外延层电阻率的检测方法有（）A.四探针法B.扩展电阻法C.电容法D.红外反射法
多项选择题外延层电阻率的检测方法有（）
A.四探针法B.扩展电阻法C.电容法D.红外反射法
