对一个CMOS反相器，增大PMOS管和NMOS管的沟道宽度之比（Wp/Wn），其开关阈值将（）；当NMOS管的阈值电压变大，对称反相器所对应的Wp/Wn应该（）。

当温度升高时，MOS管的漏极饱和电流将（），亚阈值漏电流将（）。A.上升，下降B.上升，上升C.下降，上升D....

单项选择题当温度升高时，MOS管的漏极饱和电流将（），亚阈值漏电流将（）。

亚阈值电流的大小和晶体管的过驱动电压VGS-VT成（）关系。A.指数B.平方C.线性

单项选择题亚阈值电流的大小和晶体管的过驱动电压VGS-VT成（）关系。

下列参数变化会引起NMOS晶体管阈值电压降低的是（）。A.沟道长度L缩短B.晶体管的VDS增大C.源端电位升高...

多项选择题下列参数变化会引起NMOS晶体管阈值电压降低的是（）。