单项选择题
A.分子流B.原子流C.紊流D.层流
以下哪一个不是连续薄膜的生长方式?()A.熔结B.原子填充C.吞并D.原子团迁移
单项选择题以下哪一个不是连续薄膜的生长方式?()
A.熔结B.原子填充C.吞并D.原子团迁移
对于LPCVD Si3N4工艺,NH3/DCS比例越小颗粒改善越明显。()
判断题对于LPCVD Si3N4工艺,NH3/DCS比例越小颗粒改善越明显。()
在LPCVD Si3N4制程中,增加总压力和DCS的分压可以增加淀积速度。()
判断题在LPCVD Si3N4制程中,增加总压力和DCS的分压可以增加淀积速度。()