进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。

刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。A.光刻胶B.Si衬底C.刻蚀气体中的碳和其它物质组成的化合物D.刻蚀溶液

多项选择题刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。

掺杂后，退火的目的是（）。A.实现电激活B.修复损伤C.提高掺杂均匀性D.加大损伤

多项选择题掺杂后，退火的目的是（）。

常压的硅外延方法有（）。A.四氯化硅氢还原法B.三氯氢硅氢还原法C.二氯氢硅烷法D.硅烷热分解法

多项选择题常压的硅外延方法有（）。