判断题
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制备光刻掩膜版,希望黑白区域间的过渡区越大越好。
判断题制备光刻掩膜版,希望黑白区域间的过渡区越大越好。
在紫外光曝光、X射线曝光、电子束曝光技术中可实现直写式曝光不需要掩模版的是X射线曝光技术。
判断题在紫外光曝光、X射线曝光、电子束曝光技术中可实现直写式曝光不需要掩模版的是X射线曝光技术。
通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延,反之称为反向外延。
判断题通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延,反之称为反向外延。