‌当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有（）

‍理想MIS结构必须满足的条件有（）A.绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电B.绝缘层材料为二氧化硅C.半导...

多项选择题‍理想MIS结构必须满足的条件有（）

‏一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为NA=1.5×1015cm-3。当氧化层厚度为0.1μm时，...

单项选择题‏一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为N_A=1.5×10¹⁵cm^-3。当氧化层厚度为0.1μm时，阈值电压为1.1V，则当氧化层厚度为0.2μm时的阈值电压为（）V。

半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度（）。A.增加B.无法判断C.减小D.不变

单项选择题半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度（）。