‏一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为N_A=1.5×10¹⁵cm^-3。当氧化层厚度为0.1μm时，阈值电压为1.1V，则当氧化层厚度为0.2μm时的阈值电压为（）V。

半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度（）。A.增加B.无法判断C.减小D.不变

单项选择题半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度（）。

‌对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将（）。A.无法判断B.向负偏压方向平...

单项选择题‌对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将（）。

MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（），若增加掺杂浓度，其开启电压将（）。A.相同、减小...

单项选择题MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（），若增加掺杂浓度，其开启电压将（）。