多项选择题
A.靶温升高，临界剂量上升B.注入离子越轻，临界剂量越小C.注入离子剂量率增大，临界剂量降低D.注入离子能量越高，临界剂量越低
扩散系数在何时不可以看成是常数（）A.在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼B.在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质C...
多项选择题扩散系数在何时不可以看成是常数（）
A.在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼B.在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质C.在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质D.在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化
扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸（），这是（）效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。A.大，场助扩散...
单项选择题扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸（），这是（）效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。
A.大，场助扩散B.大，横向扩散C.小，横向扩散D.大，氧化增强
制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
判断题制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
