多项选择题
A.在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼B.在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质C.在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质D.在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化
扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸（），这是（）效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。A.大，场助扩散...
单项选择题扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸（），这是（）效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。
A.大，场助扩散B.大，横向扩散C.小，横向扩散D.大，氧化增强
制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
判断题制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
通常掩膜氧化采用的工艺方法为（）A.干氧B.干氧-湿氧-干氧C.掺氯氧化D.低压氧化
单项选择题通常掩膜氧化采用的工艺方法为（）
A.干氧B.干氧-湿氧-干氧C.掺氯氧化D.低压氧化
