‌通过引入耗尽近似，耗尽层内部的电荷密度完全正比于净杂质浓度。

‍通常的内建电势小于禁带宽度对应的电压值。

判断题‍通常的内建电势小于禁带宽度对应的电压值。

​冶金结附近的空间电荷是由p型一侧电子和n型一侧空穴的积累引起的。

判断题​冶金结附近的空间电荷是由p型一侧电子和n型一侧空穴的积累引起的。

‎P沟道的短沟道MOSFET 更容易发生横向双极击穿。

判断题‎P沟道的短沟道MOSFET 更容易发生横向双极击穿。