判断题
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冶金结附近的空间电荷是由p型一侧电子和n型一侧空穴的积累引起的。
判断题冶金结附近的空间电荷是由p型一侧电子和n型一侧空穴的积累引起的。
P沟道的短沟道MOSFET 更容易发生横向双极击穿。
判断题P沟道的短沟道MOSFET 更容易发生横向双极击穿。
MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。
判断题MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。
