湿氧氧化采用的氧化水温是（）。

硅暴露在空气中，在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）。A.30nmB.10nmC.20nmD.25nm

单项选择题硅暴露在空气中，在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）。

下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）A.金属离B.微粒C.纯度D.浓度

单项选择题下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）

如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？（）A.化学物质B.金属离子C.融解的氧气D.细菌

单项选择题如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？（）