单项选择题
A.耗金量太大B.不可靠C.导热性差D.接触不良
组装过程中，H1级芯片和衬底之间的粘接要求（）A.芯片周长50%可见焊料B.芯片周围75%可见焊料C.芯片周长...
单项选择题组装过程中，H1级芯片和衬底之间的粘接要求（）
A.芯片周长50%可见焊料B.芯片周围75%可见焊料C.芯片周长40%可见焊料D.芯片周长45%可见焊料
一般MOS型集成电路的隔离是（）A.与绝大多数双极型集成电路一样的PN结隔离B.介质隔离C.介质隔离和PN结隔...
单项选择题一般MOS型集成电路的隔离是（）
A.与绝大多数双极型集成电路一样的PN结隔离B.介质隔离C.介质隔离和PN结隔离D.自隔离
可动电荷Na+离子在（）介质膜中容易移动。A.二氧化硅B.氮化硅C.磷硅玻璃D.氧化铝
单项选择题可动电荷Na+离子在（）介质膜中容易移动。
A.二氧化硅B.氮化硅C.磷硅玻璃D.氧化铝
